Diod Schottky ialah peranti semikonduktor logam yang diperbuat daripada logam mulia (emas, perak, aluminium, platinum, dll.) a sebagai elektrod positif, semikonduktor jenis-n B sebagai elektrod negatif, dan halangan berpotensi terbentuk pada permukaan sentuhan kedua-duanya mempunyai ciri-ciri pembetulan. Oleh kerana terdapat sejumlah besar elektron dalam semikonduktor jenis-n dan hanya sebilangan kecil elektron bebas dalam logam mulia, elektron meresap dari kepekatan tinggi B ke kepekatan rendah a. Jelas sekali, tiada lubang dalam logam a, jadi tiada pergerakan resapan lubang dari a ke B. Dengan resapan berterusan elektron dari B ke a, kepekatan elektron pada permukaan B secara beransur-ansur berkurangan, dan keelektronegatifan permukaan adalah musnah. Oleh itu, halangan berpotensi terbentuk, dan arah medan elektrik ialah B → a. Walau bagaimanapun, di bawah tindakan medan elektrik ini, elektron dalam a juga akan menghasilkan pergerakan hanyut dari a ke B, dengan itu melemahkan medan elektrik yang terbentuk oleh pergerakan resapan. Apabila kawasan cas ruang dengan lebar tertentu ditubuhkan, pergerakan hanyutan elektron yang disebabkan oleh medan elektrik dan pergerakan penyebaran elektron yang disebabkan oleh kepekatan yang berbeza mencapai keseimbangan relatif, dan halangan Schottky terbentuk.
Struktur litar dalaman penerus Schottky biasa adalah berdasarkan semikonduktor jenis-n, di mana lapisan n-epitaxial dengan arsenik sebagai dopan terbentuk. Anod diperbuat daripada molibdenum atau aluminium sebagai lapisan penghalang. Silikon dioksida (SiO2) digunakan untuk menghapuskan medan elektrik di kawasan pinggir dan meningkatkan nilai voltan tahan tiub. Substrat jenis-n mempunyai rintangan keadaan yang sangat kecil dan kepekatan dopingnya adalah 100 peratus lebih tinggi daripada lapisan H. Lapisan katod N tambah dibentuk di bawah substrat untuk mengurangkan rintangan sentuhan katod. Dengan melaraskan parameter struktur, penghalang Schottky terbentuk di antara substrat jenis-n dan logam anod, seperti yang ditunjukkan dalam Rajah 1. Apabila pincang ke hadapan digunakan pada kedua-dua hujung penghalang Schottky (logam anod disambungkan kepada elektrod positif bekalan kuasa, dan substrat jenis-n disambungkan ke elektrod negatif bekalan kuasa), lapisan penghalang Schottky menjadi sempit dan rintangan dalamannya menjadi kecil; Sebaliknya, jika pincang songsang digunakan pada kedua-dua hujung penghalang Schottky, lapisan penghalang Schottky menjadi lebih luas dan rintangan dalamannya menjadi lebih besar.
Kesimpulannya, struktur dan prinsip penerus Schottky sangat berbeza daripada penerus simpang PN. Secara amnya, penerus simpang PN dipanggil penerus simpang, manakala penerus setengah tiub logam dipanggil penerus Schottky. Diod Aluminium Silicon Schottky yang dihasilkan oleh teknologi planar silikon juga telah dibangunkan. Ini bukan sahaja dapat menjimatkan logam berharga, sangat mengurangkan kos, tetapi juga meningkatkan konsistensi parameter.
